Enduraz TS01 潔凈|廣泛的耐化學性|適合靜態應用
特性與優勢
• 潔凈、低析出物
• 優越的氧、氟等離子體耐受性
• 較低的顆粒生成量
• 低放氣率
• 高耐磨性
• 優異的機械和密封性能
應用領域
• 腔體密封
• 氣體管路密封
• 閥門密封
• 法蘭密封
• Bonded slit valve doors
工藝應用
• 沉積工藝(PECVD, HDPCVD, SACVD, ALD, PVD)
• 干法刻蝕
• 濕法刻蝕
• 氧化/擴散
• 去膠工藝
• Remote plasma clean
性能參數
典型值 | ||
材質 | Enduraz TS01 | |
顏色 | 半透明 | |
硬度, Shore A | 69 | |
100%模量, Mpa | 4.2 | |
抗拉強度, Mpa | 17.8 | |
延展性, % | 274 | |
壓縮形變: 204℃,70h | 22 | |
工作溫度 | 280℃ |
Enduraz TS01是全新一代全氟彈性體,旨在滿足半導體制造過程中苛刻的等離子體、強腐蝕性氣體以及超潔凈的工藝要求。
其獨特的配方可提供出色的等離子和化學物質耐受性,其金屬含量極低,放氣率極低,且具備優異的機械和密封性能。
Enduraz TS01的使用溫度范圍為-10至280°C,適用于大多數干法和濕法半導體工藝(包括CVD,干法蝕刻,晶片清潔,去除聚合物,濕法蝕刻,拋光等)的靜態應用。
其獨特的配方可提供出色的等離子和化學物質耐受性,其金屬含量極低,放氣率極低,且具備優異的機械和密封性能。
Enduraz TS01的使用溫度范圍為-10至280°C,適用于大多數干法和濕法半導體工藝(包括CVD,干法蝕刻,晶片清潔,去除聚合物,濕法蝕刻,拋光等)的靜態應用。